辐射组利用脉冲激光模拟单粒子效应试验装置和充放电效应模拟装置，针对SRAM和运算放大器进行了单粒子效应和充放电效应的对比研究，初步获得了两类器件在单粒子效应和充放电脉冲作用下产生的“软错误”的异同特征。