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InGaP/GaAs HBT单粒子效应试验
发布日期：2014-06-20 14:42:46
        受某大学委托，对其研制的化合物半导体比较器进行了单粒子瞬态脉冲效应敏感性的测试。该芯片采用InGaP/GaAs HBT工艺制造，结构层数为18层。
 
      利用我研究室的飞秒脉冲激光单粒子效应试验装置， 采用波长850nm、能量65~700pJ的激光脉冲对芯片进行辐照，测得激光能量最小为500pJ（对应等效LET值为18±6MeV•cm2/mg）时仍能触发比较器晶体管产生下降沿脉冲，下降的电压幅度大小为0.9-1.0V，下降沿持续时间为130-150μs。


500pJ激光辐照比较器下降沿脉冲示意图