近日，我研究室受中科院某单位委托，对其承担的某款专用集成电路（ASIC）进行了单粒子效应脉冲激光试验评估。

试验观测到该芯片发生的单粒子闩锁效应和单粒子瞬态脉冲效应现象，测得了其闩锁效应等效LET阈值，定位到该芯片发生闩锁效应的敏感部位。

  利用脉冲激光装置能精细、高效地对所设计的芯片进行单粒子效应评估，为芯片优化设计提供有的放矢的试验数据支持，可有效缩短芯片研发周期。

                                        试验观测到的ASIC芯片单粒子闩锁效应和单粒子瞬态脉冲效应