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MEMS传感器驱动芯片单粒子效应试验
发布日期:2013-05-23 14:51:14
         受某单位委托对其研制的MEMS传感器驱动芯片进行了单粒子闩锁效应敏感性的测试

       经过多次扫描,测得芯片最敏感位置为数字时钟模块。最低能量为30nJ的激光辐照时,芯片反偏电流由-10mA跃变为-62mA,电流跃变波形如下图所示。继续增大能量,不扫描时钟模块,利用90nJ激光能量其他功能模块未发生闩锁。
 


激光能量30nJ时芯片反偏ISS发生闩锁时电流跃变波形