利用脉冲激光单粒子效应实验装置（PLSEE），采用对器件背部辐照的技术，对90nm、SOI-CMOS工艺的高性能CPU进行了单粒子效应测试，观测到丰富的单粒子效应现象及对计算机系统的影响。通过器件背部辐照，成功规避了大规模集成电路正面密集的金属布线层的遮挡，使得激光束可以畅通无阻地对芯片内部构造的单粒子效应响应特性，以及电路系统对单粒子效应的响应和应对措施进行全面、准确的测试。实践表明，脉冲激光单粒子效应实验装置是集成电路抗辐射设计评估的有利工具，是电路系统抗辐射设计验证的有效手段。