近日，我研究室在研制成功国内首台自主的脉冲激光单粒子效应实验装置的基础上，进一步突破了大规模集成电路背部三维扫描辐照和定量测试技术，成功地对国内自主研发的宇航用电子器件的抗单粒子效应性能实施了快速评估。在数小时内，试验测试了采用0.13mm和0.18mm工艺的SRAM和逻辑电路的单粒子翻转、单粒子锁定和单粒子瞬态脉冲等特性，发现加固设计取得了较显著的抗单粒子效应效果。脉冲激光单粒子效应实验装置和试验方法具有“快、好、省”的特点，并且便于推广应用，将会大幅度促进我国宇航元器件的研发。

SRAM和逻辑电路单粒子效应试验电路