近日，我研究室受某单位委托，利用自主开发的“脉冲激光单粒子效应实验装置”，对该单位自主研发的几款宇航用电子器件的抗单粒子效应能力进行了快速的试验评估。试验表明：加固芯片的抗单粒子翻转能力较未加固芯片得到了大幅度提升—阈值提高一个量级、饱和截面降低三个量级；加固芯片在试验的最大激光脉冲能量（对应于重离子LET值）时仍未发生单粒子锁定现象，而未加固芯片在试验最大激光能量4%时就开始出现单粒子锁定现象。利用脉冲激光装置进行的单粒子效应试验快速、有针对性，对国产宇航用电子器件的抗单粒子效应设计具有重要的参考和指导作用。