国家空间科学中心 空间天气学国家重点实验室 空间抗辐射平台
用户登录
我实验室人员参加电子元器件辐射效应国际会议
发布日期:2015-10-28 17:03:04

      2015年10月19日~21日,我实验室韩建伟研究员、张振龙研究员参加了在哈尔滨举行的电子元器件辐射效应国际会议(International Conference on Radiation Effects of Electronic Devices)。韩建伟研究员作了题为“器件单粒子效应的脉冲激光试验技术研究”的报告,介绍了我实验室在器件单粒子效应脉冲激光试验技术方面的研究进展,包括触发单粒子效应的激光能量与重离子LET值的对应关系建立,器件单粒子效应敏感区域定位及时间响应动态测试技术,器件单粒子效应收集电荷测量采集技术等。利用上述试验技术,能够快速评估器件的单粒子效应敏感度、测试获得单粒子效应在器件及电路内部的空间和时间响应信息、采集器件单粒子效应过程中的脉冲电荷信号,为研究器件和电路的单粒子效应机理、影响、加固设计及防护验证提供重要的手段。同时,还在会议上海报展示了我实验室在航天器内部充电效应试验与仿真研究方面的进展。

      本次电子元器件辐射效应国际会议由中国核学会辐射物理分会发起,哈尔滨工业大学主办,并由强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室、模拟集成电路国家重点实验室及山东航天电子技术研究所共同承办。来自美国、欧洲及国内的辐射效应领域专家一百余人参加了研讨。