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中国核学会抗辐射电子学与电磁脉冲专委会于2015年6月24日至27日，在上海举办了第12届全国学术会议。本次会议涵盖了辐射环境、器件辐射效应、器件抗辐射加固技术、评估技术以及电磁脉冲效应等主题，汇集了国内关于抗辐射效应研究的最新进展情况。
我实验室在大会上汇报了其在脉冲激光模拟单粒子效应定量试验方面取得的最新进展，与国内加速器单位在微束试验方面交换了看法，计划进行共同试验，在加速器微束和激光微束方面为国内微束试验的需求提供更好的技术支撑。
随着脉冲激光模拟辐射效应试验技术的深入研究及推广应用，国内器件研制及评测单位均在激光模拟技术方面开展了较为深入的工作。开展的脉冲激光模拟剂量率效应的试验研究，实现了闪光加速器与激光数据的比对。针对复杂器件进行了单粒子效应敏感深度的测试，进行了器件动态SET效应的试验分析等。
其他方面的进展主要包括：28nm超薄体埋氧层全耗尽SOI技术（UTBB FD SOI），由于采用了超薄体硅膜及埋氧层，其抗单粒子效应及总剂量效应能力有了空前的提高；同体硅28nm相比，其试验测试的SER要小110倍，与加了EDAC的130nm PD SOI比也具有更好的SER加固能力；随着新型材料存储器件的发展，国内器件研制单位也在跟踪调研此类器件的辐射效应，如阻变存储器的抗辐照性能与辐照效应等。