2011年11月18日至22日，我研究室人员参加了第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会。

 研究室共有十余名科研人员参加了会议，报告和交流文章十余篇，均名列参会单位前茅。封国强受邀作了大会报告“器件和电路抗单粒子效应设计中的脉冲激光试验”，其他人员分别介绍了脉冲激光模拟单粒子效应试验技术、数字电路和模拟电路脉冲激光单粒子效应试验、卫星材料和部件深层充放电效应、微小碎片撞击诱发放电、空间辐射效应分析评估方法等方面的研究进展。马英起作的“脉冲激光试验评估模拟电路单粒子效应”的报告被评为大会优秀论文。通过此次会议，全面展示了我研究室在国内航天器抗辐射和充放电领域具有的雄厚人才队伍、扎实研究基础和创新研究成果，吸引了众多同行单位专家的交流、并探讨了深入合作的意向。

       本次会议由中国电子学会核电子学与核探测技术分会主办，旨在交流近年来在抗辐射加固技术等方面的最新研究成果。参加会议的有中国工程物理研究院、中电集团、中国原子能研究院、航天科技集团五院、八院和九院、西北核技术研究所、国防科技大学、清华大学、北京大学、西安交大、北京理工、中国气象局以及中科院的国家空间中心、微电子所、新疆理化所、近物所等70余家单位共200余名行业专家。